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发布者:微桥 发布时间:2011/12/22 阅读:6693次    关键字: MOSFET
POWER MOSFET驱动电路应用实例


POWER MOSFET驱动电路应用实例

 

1.主要参数及特性

MOSFET是由电压控制型器件,输入栅极电压VG控制着漏极电流ID,即一定条件下,漏极电流ID取决于栅极电压VG。极限参数有:最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、最大漏极电流ID,最大功耗PD。在使用中不能超过极限值,否则会损坏器件。主要电特性有:开启电压VGS(Th);栅极电压为零时的IDSS电流;在一定的VGS条件下的导通电阻RDS(ON)。

2.基于开关电源IC3843驱动电路

HS70N06VGS一般3.1V就可以完全开启,也有很低的导通电阻RDS(ON),像3843这类内部带图腾柱驱动电路的IC一般都可以很轻松的驱动它.栅极电阻的选择范围也比较大,一般可以从几欧到几百欧.

3.基于MCU图腾驱动电路

MCU的工作电压都比较低(一般都在5.5V以下),不能直接驱动HS80N75或者说驱动能力很差.所以我们一般选择增加外部图腾驱动电路.

4.基于逆变器输出驱动电路

5.基于HID安定器全桥驱动电路

6.基于DCBL马达驱动电路

在这种通电方式里,每瞬间均有三只MOSFET通电.每60o换相一次,每次有一个MOSFET换相,每个MOSFET通电180o.

本文共分 1

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